بررسی تاثیر فشار کششی بر تغییر خواص نورتابناکی (فوتولومینوسانسی) نقاط کوانتومی، می‌تواند موقعیت آنها را درون یک میکروساختار مشخص کند.

ادوات اپتوالکترونیکی پیشرفته‌ای، مانند منابع تک-فوتونی مبتنی بر نقاط کوانتومی هستند که درون یک میکروسیم یا میکروقرص جای داده شده‌اند. نقاط کوانتومی عمدتاً از طریق فرآیندهای خودسازمانده تولید می‌شوند و در نتیجه به طور رندوم درون میکروساختار توزیع شده‌اند. تعیین موقعیت دقیق این نقاط درون ماده می‌تواند بطور قابل توجهی در مشخصه یابی و مهندسی این ادوات به ما کمک کند.

اکنون تیمی به سرپرستی Jean-Philippe و Julien Claudon و Maxime Richard از دانشگاه گرینوبل آلپس، فرانسه، تکنیکی را گسترش داده‌‌اند که می‌تواند از طریق اعمال فشار کششی به ساختار حامل نقاط و مشاهده تغییرات خاصیت نورتابناکی نمونه‌ها در نگاشت موقعیت نقاط (کوانتومی) موثر باشد. رهیافت این محققان مبتنی بر یک آنتن سیم مانند است که درون یک لایه ایندیم آرسناید از نقاط کوانتومی قرار گرفته است. آنها با استفاده از یک مبدل پیزوالکتریک، مدهای ارتعاشی مشخصه این سیم را برانگیخته کردند. از آنجایی که انرژی گذارهای نوری نقاط کوانتومی به فشار کششی حساس هستند، نوسان‌های سیم منجر به جابجایی در فرکانس‌های گذار نقاط کوانتومی می‌شود که این جابجایی‌ها وابسته به موقعیت و زمان هستند. گروه، این اثر را از طریق برانگیختن نقاط (کوانتومی) به کمک یک لیزر و اندازه‌گیری طیف زمانی نورتابناکی مشخص کردند. نتایج حاصل شده، نگاشتی از موقعیت نقاط درون سیم را به همراه داشت که البته دقت این اندازه‌گیری در بازه 1 تا 35 نانومتر بستگی به موقیعت نقاط نسبت به امواج ایستاده ناشی از مدهای ارتعاشی برانگیخته شده، داشت. 

به پیشنهاد نویسنده، روش تصویربرداری آنها قابلیت اعمال به هر نوع سیستم کوانتومی است که گسیل درون آن وابسته به فشار کششی است. این سیستم‌ها شامل نقاط کوانتومی درون نیمرساناها، مراکز تهی جای نیتروژن درون الماس و یون‌های نادر زمینی درون کریستال‌ها می‌شوند.